产品描述
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中文名 |
化学式 |
CAS号 |
英文简称 |
英文名 |
类别 |
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四(二甲胺)铪 |
C8H24HfN4 |
19962-11-9 |
TDMAH |
Tetrakis(diethylamion)hafnium |
前驱体 |
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四(二甲胺)铪 (TDMAH) |
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化学式 |
C8H24HfN4 |
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中文名称 |
四(二甲胺)铪 |
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英文名称 |
Tetrakis(diethylamion)hafnium |
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CAS No. |
19962-11-9 |
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分子量 |
354.79 |
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应用 |
主要用于CVD和ALD的前驱体材料,用于沉积铪的前驱物,制备铪氧化物薄膜;可以用于COMS和下一代DRAM的高k绝缘材料,广泛应用于45nm下直至7nm技术等先进CMOS集成电路技术中。 其应用于新型阻变/忆阻器件(RRAM)研究中,可展现良好的微缩特性,还可在10nm尺度下保持良好的阻变特性;在铁电存储器件(FeRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电负电容晶体管(NC-FET)、铁电隧道结等新功能器件制造方面表现出良好的微缩特性,为类脑型神经形态计算等变革性技术研究与发展提供新的途径。 还可替代二氧化硅,作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极。 |
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产品规格 |
6N(99.9999%) |
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