产品描述
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中文名 |
化学式 |
CAS号 |
英文简称 |
英文名 |
类别 |
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四(甲乙胺)锆 |
C12H32N4Zr |
175923-04-3 |
TEMAZ |
Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium |
前驱体 |
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四(甲乙胺)锆(TEMAZ) |
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化学式 |
C12H32N4Zr |
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中文名称 |
四(甲乙胺)锆 |
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英文名称 |
Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium |
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CAS No. |
175923-04-3 |
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分子量 |
323.63 |
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应用 |
主要用于CVD、ALD、等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺,是生产ZrO2的前驱体。 ZrO2在45nm晶体管的制备中代替二氧化硅,可以显著减少漏电量,还是COMS和动态存储(DRAM)的高k绝缘材料,是目前解决动态存储和高清显示技术难题的最优选材料之一;可作阻变存储器的介质层前驱体;可作锂离子电池正极包覆沉积前驱体。 |
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产品规格 |
6N(99.9999%) |
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